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铌酸锂直波导相位调制器
铌酸锂直波导相位调制器采用钛扩散或质子交换工艺制备,具有插入损耗低、驱动电压低的特点。该产品通过了GR-1221-CORE可靠性试验以及各种环境考核试验,产品性能稳定,可靠性高，已在国家多个重点工程中应用。
  • 低插入损耗
  • 小体积
  • 低驱动电压
  • 长寿命、高可靠性
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产品特点规格参数定制信息应用场景
产品特点
  • 01
    低插入损耗
  • 02
    小体积
  • 03
    低驱动电压
  • 04
    长寿命、高可靠性
规格参数

 常温技术指标

 

参数 单位 技术指标
工作波长 1nm 1310(±20)
插入损耗 dB ≤3.5
偏振相关损耗 dB ≤1.0
尾纤偏振串音 dB ≤-27
输入光功率 mW ≤50.0
光回波损耗 dB ≥45.0
残余强度调制 / ≤2.0‰
半波电压(@1KHz,TE) V ≤3.5
波形斜度 / ≤1/200
最大施加电压 V ≤15.0
带宽 MHz ≥50
电接口 / 3引针
尾纤 / 单模或保偏光纤
工作温度范围 ℃ -40～+85
贮存温度范围 ℃ -55~+85

 

全温技术指标

 

参数 单位 技术指标
温度范围 ℃ -40～+85
插入损耗变化量 dBm ≤0.5
尾纤偏振串音 dBm ≤250

 

封装尺寸

 

定制信息
应用场景
光纤传感领域
相干光通讯领域
量子保密通讯领域